DPAE-Si-pin 是一款高性能Si-pin半导体探测器，具有较高的能量分辨率和极好的性价比。
产品特点：
● 139eV FWHM 分辨率 @ 5.9 keV
● 传感器厚度 500 μm
● 传感器面积 6-25mm²
● 适宜能量范围 1 KeV-40 KeV
● USB接口，RS232接口，Ethernet接口
● 无需液氮制冷
产品应用：
● X-Ray Fluorescence X射线荧光光谱仪
● RoHS / WEEE Compliance XRF
● OEM 及其特殊应用
● 在线分析检测
● 科研
| 类型 | Si-pin数字多道探测器 |
| 感光面积 | 6-25mm² |
| 厚度 | 500µm |
| 分辨率 @5.9keV (Fe55) | 139–260eV FWHM |
| 能量范围 | 1 Kev-40 Kev，1.5Kev-25Kev（Efficiency >25%） |
| 窗口厚度 | 3.5 µm / 1 mil (25 µm) |
| 准直器 | 多内层准直器 |
| 电荷灵敏度 前置放大器 | 定制设计，带复位功能 |
| 制冷 | 2级 |
| 外观尺寸 | 156.5×71×16.7mm |
| 重量 | 约 200g |
| 电源 | 4.5-9VDC |
| 设备生存期 | 通常 5-10 年，视使用情况而定 |
| 保存及运输 | 常规保存：温度 - 20℃-50℃、湿度 10%-90%（非凝结环境下） |
| 工作环境 | 0℃-50℃ |
成型（达峰）时间25.6 μs，展示Sipin探测器的能量分辨率(Mn Kα)。
图1. 分辨率VS输入计数率(不同达峰时间)
这组曲线展示了不同信号达峰成型时间下探测器能量分辨率随输入计数率的变化规律。在低计数区间，各成型时间下探测器均保持稳定的分辨率水平；随着输入计数率不断升高，脉冲堆积效应逐步加剧，能量分辨率出现不同程度恶化。更长的达峰成型时间可获得更优的低计数分辨率，但也会造成分辨率随计数率上升更快变差，体现出能量分辨率与高计数吞吐性能之间典型的权衡关系。
图2. OCR VS ICR (不同达峰时间)
这组曲线展示了不同信号达峰成型时间对应的探测器输出计数率 (OCR) 随输入计数率 (ICR) 的变化关系。低计数率区间内输出计数率与输入计数率近似呈线性关系；随着输入计数率升高，脉冲堆积效应开始显现，输出计数率增长逐步放缓并达到峰值，之后出现回落。成型时间越短，探测器可承受的最大输出计数吞吐量越高。
图3. 分辨率与达峰时间
这组曲线显示随着达峰成型时间增加，脉冲信号拥有更长的成形时长，半高宽数值快速下降、能量分辨率显著优化；当成型时间大于 12 μs 之后，分辨率逐步趋于平稳，继续拉长达峰时间对探测器性能的提升效果十分有限。
图4. 铍窗穿透效率
该曲线展示了不同厚度铍窗的 X 射线透过率以及不同硅灵敏层厚度下 Si‑PIN 探测器的探测效率随光子能量的变化关系。低能段 X 射线易被铍窗吸收，铍窗越薄，低能端射线透过性能越好；在中能区间透过与探测效率达到峰值；当光子能量继续升高时，硅层对高能 X 射线的吸收能力下降，探测效率逐步降低。增加硅灵敏层厚度能够有效提升高能区间的探测效率。
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