DPAI-VSDD-Pro代表高性能的X射线硅漂移探测器，可在极低的成形时间下实现高分辨率，可适用于高真空环境。
产品特点：
● 125eV FWHM分辨率@5.9 keV
● 峰背比：15,000:1
● 感光面积：20/30/50mm2x450um
● 最大输入计数率：＞4000KCPS
● 纳秒级复位时间
● USB (TypeC)接口，RS232接口，Ethernet接口(1000M可选)
● 谱图刷新率1000次/秒
● 自锁航空插座
● IP地址、波特率等通讯参数可设置
● 支持3种接口远程固件升级(无需断电)
● 无需液氮制冷
● 极限真空10-7Torr
产品应用：
● X-RayFluorescence X射线荧光光谱仪
● RoHS / WEEE Compliance XRF
● OEM及其特殊应用
● 在线分析检测
● 科研
| 类型 | VSDD-Pro 数字多道探测器 |
| 感光面积 | 20 mm²/ 30mm² / 50mm² (可选) |
| 厚度 | 450µm |
| 分辨率 @5.9keV (Fe55) | 125eV FWHM 达峰时间 1µs |
| 峰背比 | 15,000:1 |
| 窗口厚度 (Graphene/Be) | 1µm / 8µm |
| 准直器 | 多内层准直器 |
电荷灵敏度 前置放大器 | 定制设计，带复位功能 |
| 极限真空 | 10⁻⁷ Torr |
| 电源 | 4.5-9VDC |
| 设备生存期 | 通常 5-10 年，视使用情况而定 |
| 保存及运输 | 常规保存：温度 - 10℃-30℃ 湿度 10%-90%（非凝结环境下） |
| 工作环境 | 0℃-50℃ |
成型（达峰）时间1μs，展示SDD探测器能量分辨率(Mn Kα)。
图1. 分辨率VS达峰时间
曲线展示SDD探测器能量分辨率（Mn-Kα）随信号成型时间（0.025μs-8μs）变化的性能指标。高成型时间的计数通过率下降，SDD探测器兼具优异的能量分辨率和高计数率处理能力，可根据应用需求在分辨率与计数率（检测效率）之间灵活取舍，选择合适的成型时间。
图2. 计数率通过率
曲线展示SDD探测器不同成型时间下的计数率性能：输入计数率（ICR）升高时，输出计数率（OCR）先同步上升后趋于饱和；成型时间越短，探测器的最大计数率通过率越强、线性范围越宽。SDD探测器具备优异的高通量处理能力，可根据应用需求在计数率性能和能量分辨率之间灵活进行优化，选择合适的成型时间，或通过X射线源调整合适的输入计数率。
图3. 计数率与分辨率
曲线展示了SDD探测器在不同成型时间下，能量分辨率随输入计数率变化的性能指标。探测器在极高计数率下依然展现出极佳的能量分辨率，分辨率几乎不随计数率升高而恶化。
图4. 探测器光窗透光率
曲线对比了两种探测器窗口材料的透光率性能，1μm石墨烯窗口相比传统8μm铍窗口，对低能X射线的透过率有显著优势，更适合轻元素分析。
PCB检测
贵金属(Au)检测
不锈钢检测
DPAI-VSDD-Pro-A
DPAI-VSDD-Pro-B
DPAI-VSDD-Pro-C
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