DPAI-LSDE7-H 是⼀款基于先进半导体探测技术的高性能探测器。其采用独创的电路架构，在关键性能指标上优于传统Sipin探测器，以同质成本带来更优探测效能，是兼具卓越性能与成本优势的工业及科研检测领域更高性价比的解决方案。
产品特点：
● 分辨率145eV FWHM 12.8μs @ 5.9 keV
● 传感器厚度 450 μm
● 传感器面积 7mm²
● 适宜能量范围 1 keV-40 keV
● USB接口，RS232接口，Ethernet接口
● 无需液氮制冷
产品应用：
● X-Ray Fluorescence X射线荧光光谱仪
● RoHS / WEEE Compliance XRF
● OEM 及其特殊应用
● 在线分析检测
● 科研
| 类型 | CLD 数字多道探测器 |
| 感光面积 | 7 mm² |
| 厚度 | 450µm |
| 分辨率 @5.9keV (Fe55) | 145eV FWHM 达峰时间 (12.8µs peaking time） |
| 能量范围 | 1keV-40keV |
| 窗口厚度 | 1µm（Graphene） |
| 准直器 | 多内层准直器 |
电荷灵敏度 前置放大器 | 定制设计，带复位功能 |
| 制冷 | 3级帕尔贴 |
| 电源 | 4.5-9VDC |
| 外观尺寸 | 135×60×25mm |
| 重量 | 158g |
| 设备生存期 | 通常 5-10 年，视使用情况而定 |
| 保存及运输 | 常规保存：温度 - 20℃-50℃ 湿度 10%-90%（非凝结环境下） |
| 工作环境 | 0℃-50℃ |
成型（达峰）时间12.8 μs，展示CLD探测器的能量分辨率(Mn Kα)。
图1. 分辨率与达峰时间
曲线展示CLD探测器能量分辨率（Mn-Kα）随信号成型时间（0.025μs-8μs）变化的性能指标。高成型时间的计数通过率下降，CLD探测器兼具优异的能量分辨率和高计数率处理能力，可根据应用需求在分辨率与计数率（检测效率）之间灵活取舍，选择合适的成型时间。
图2. 计数通过率/Throughtout
曲线展示CLD探测器不同成型时间下的计数率性能：输入计数率（ICR）升高时，输出计数率（OCR）先同步上升后趋于饱和；成型时间越短，探测器的最大计数率通过率越强、线性范围越宽。CLD探测器具备优异的高通量处理能力，可根据应用需求在计数率性能和能量分辨率之间灵活进行优化，选择合适的成型时间，或通过X射线源调整合适的输入计数率。
图3. 计数率与分辨率
曲线展示了CLD探测器在不同成型时间下，能量分辨率随输入计数率变化的性能指标。探测器在极高计数率下依然展现出极佳的能量分辨率，分辨率几乎不随计数率升高而恶化。
图5. 探测器光窗透光率
曲线对比了两种探测器窗口材料的透光率性能，1μm石墨烯窗口相比传统8μm铍窗口，对低能X射线的透过率有显著优势，更适合轻元素分析。
铜合金检测
不锈钢检测
贵金属（金）检测
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